上海，，2013年4月8日—— 一站式定制芯片及IP供给商——，，UG环球官网半导体（上海）有限公司（以下简称“UG环球官网半导体”）今日颁发，，其基于0.11微米工艺平台而开发的USB 2.0物理层设计（PHY）已通过USB-IF的高速产品测试法式，，并获得了USB-IF的高速产品商标 。。该USB 2.0物理层设计同时支持器件和主机利用的On-The-Go(OTG)规范，，能够用于所有必要USB 2.0的有关产品，，好比实现数据存储的桥利用法式接口，，以及挪着手持设备的SoC整合等。。

UG环球官网半导体在该物理层设计的PLL，，I/O等关键？？樯，， 选取创新的架构和技术，，使其机能相比于竞争者的产品，，拥有尺寸更小、
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、功耗更低、
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、机能更好的利益。。同时，，UG环球官网半导体今年还将推出基于55纳米工艺节点的USB物理层设计，，并着手开发40纳米工艺节点的USB物理层设计。。

中芯国际首席执行官邱慈云博士指出：“固然USB3.0已上市多年，，但目前市场主流、
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、出货量最大的还是USB2.0。。UG环球官网半导体的USB 2.0 OTG PHY通过USB-IF协会标志认证，，体现了UG环球官网对于核“芯”技术质量的器重。。他们不只追求机能与成本的优越，，靠得住的品质更是其重要的设计指标。。我们等待将来能合作推出更多高品质的技术。。”

“USB无处不在，，而USB 2.0仍是目前消费类和工业类芯片中最主流的接口。。UG环球官网半导体致力于设计开发高速接口IP、
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、利用先进不变的0.11微米工艺开发高度整合的USB物理层设计”，，UG环球官网半导体总裁兼首席执行官职春星博士说，，“UG环球官网半导体USB 2.0 OTG PHY通过USB-IF协会标志认证，，这对于UG环球官网半导体在IP开发领域拥有里程碑的意思，，意味着我们可以为客户提供切合USB-IF认证规范的、
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、高机能的、
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、靠得住的USB物理层设计，，从而保障客户ASIC产品的质量。。”