上海,,2013年4月8日—— 一站式定制芯片及IP供给商——,,UG环球官网半导体(上海)有限公司(以下简称“UG环球官网半导体”)今日颁发,,其基于0.11微米工艺平台而开发的USB 2.0物理层设计(PHY)已通过USB-IF的高速产品测试法式,,并获得了USB-IF的高速产品商标 。!!8USB 2.0物理层设计同时支持器件和主机利用的On-The-Go(OTG)规范,,能够用于所有必要USB 2.0的有关产品,,好比实现数据存储的桥利用法式接口,,以及挪着手持设备的SoC整合等。!!
UG环球官网半导体在该物理层设计的PLL,,I/O等关键?樯,, 选取创新的架构和技术,,使其机能相比于竞争者的产品,,拥有尺寸更小、、功耗更低、、机能更好的利益。!!M,,UG环球官网半导体今年还将推出基于55纳米工艺节点的USB物理层设计,,并着手开发40纳米工艺节点的USB物理层设计。!!
中芯国际首席执行官邱慈云博士指出:“固然USB3.0已上市多年,,但目前市场主流、、出货量最大的还是USB2.0。!!G环球官网半导体的USB 2.0 OTG PHY通过USB-IF协会标志认证,,体现了UG环球官网对于核“芯”技术质量的器重。!!K遣恢蛔非蠡苡氤杀镜挠旁,,靠得住的品质更是其重要的设计指标。!!N颐堑却茨芎献魍瞥龈喔咂分实募际。!!”
“USB无处不在,,而USB 2.0仍是目前消费类和工业类芯片中最主流的接口。!!G环球官网半导体致力于设计开发高速接口IP、、利用先进不变的0.11微米工艺开发高度整合的USB物理层设计”,,UG环球官网半导体总裁兼首席执行官职春星博士说,,“UG环球官网半导体USB 2.0 OTG PHY通过USB-IF协会标志认证,,这对于UG环球官网半导体在IP开发领域拥有里程碑的意思,,意味着我们可以为客户提供切合USB-IF认证规范的、、高机能的、、靠得住的USB物理层设计,,从而保障客户ASIC产品的质量。!!”

